原裝RFHIC放大器RTH26008S-30

RFHIC

RFHIC，的射頻和微波元件設計、商，擁有從分立器件到集成高功率放大器等廣泛的產(chǎn)品線，采用包括GaN混合方案等技術(shù)，并從成本考量為客戶提供方案。 RFHIC與 Cree深 入合作，為市場提供成熟的 GaN技術(shù)、產(chǎn)品。RFHIC通過 ISO9001和 14001認證，提供可信、可靠的產(chǎn)品。作為一個一站式方案提供商，我們可以處理 MMIC、裸片貼裝、引線、封裝，板上芯片、混合電路、表面貼裝、射頻測試以及全線質(zhì)量控制，并且我們滿足 RoHS及無鉛等標準。 RFHIC 與美 Cree公司簽署了合作協(xié)議，為 RFHIC 的 GaN 功放模塊提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同時達成了市場合作方案，通過結(jié)合 Cree的晶片生產(chǎn)能力與 RFHIC在封裝、放大集成、裝配和模塊設計方面的能力，更深入的推進 GaN HEMT方案的*。

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RFHIC，的射頻和微波元件設計、商，擁有從分立器件到集成高功率放大器等廣泛的產(chǎn)品線，采用包括GaN混合方案等技術(shù)，并從成本考量為客戶提供方案。 RFHIC與 Cree深 入合作，為市場提供成熟的 GaN技術(shù)、產(chǎn)品。RFHIC通過 ISO9001和 14001認證，提供可信、可靠的產(chǎn)品。作為一個一站式方案提供商，我們可以處理 MMIC、裸片貼裝、引線、封裝，板上芯片、混合電路、表面貼裝、射頻測試以及全線質(zhì)量控制，并且我們滿足 RoHS及無鉛等標準。 RFHIC 與美 Cree公司簽署了合作協(xié)議，為 RFHIC 的 GaN 功放模塊提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同時達成了市場合作方案，通過結(jié)合 Cree的晶片生產(chǎn)能力與 RFHIC在封裝、放大集成、裝配和模塊設計方面的能力，更深入的推進 GaN HEMT方案的*。

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RFHIC，的射頻和微波元件設計、商，擁有從分立器件到集成高功率放大器等廣泛的產(chǎn)品線，采用包括GaN混合方案等技術(shù)，并從成本考量為客戶提供方案。 RFHIC與 Cree深 入合作，為市場提供成熟的 GaN技術(shù)、產(chǎn)品。RFHIC通過 ISO9001和 14001認證，提供可信、可靠的產(chǎn)品。作為一個一站式方案提供商，我們可以處理 MMIC、裸片貼裝、引線、封裝，板上芯片、混合電路、表面貼裝、射頻測試以及全線質(zhì)量控制，并且我們滿足 RoHS及無鉛等標準。 RFHIC 與美 Cree公司簽署了合作協(xié)議，為 RFHIC 的 GaN 功放模塊提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同時達成了市場合作方案，通過結(jié)合 Cree的晶片生產(chǎn)能力與 RFHIC在封裝、放大集成、裝配和模塊設計方面的能力，更深入的推進 GaN HEMT方案的*。

原裝RFHIC放大器RTH26008S-30